- Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
-
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
(ИФП СО РАН)
Основан Директор Сотрудников 1000 (2010)[2]
Расположение Юридический адрес 630090, Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13
Сайт Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН — один из институтов Новосибирского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук. Расположен в Новосибирске. Основан в 1964 году.
Содержание
Общие сведения
Основными направлениями научной деятельности института являются элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектро¬ники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики, актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем, актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику. [3]
История
Институт был основан в 1964 году на базе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года). В 2003 году к Институту физики полупроводников СО РАН был присоединён в качестве филиала Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (постановление Президиума РАН от 1.07.03 г. № 224). В 2005 году к ИФП СО РАН был присоединен присоединён в качестве филиала Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (постановление Президиума РАН от 29.11.05 г. № 274). В 2006 году Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН от 26.12.06 г. № 400).[4]
Директорами института были: [5]
- 1964—1990 — академик Ржанов, Анатолий Васильевич
- 1990—1998 — чл.-корр. РАН Свиташев, Константин Константинович.
- с 1998 — академик РАН Асеев, Александр Леонидович.
Структура
В состав института входят следующие научные подразделения (более 20 лабораторий, два филиала): [6][7]
- Отдел роста и структуры полупроводниковых материалов
- Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
- Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур,
- Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур, руководитель отдела академик А. Л. Асеев
- Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии, зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н. А. В. Латышев
- Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5
- Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники, руководитель отдела член-корр. РАН, профессор, И. Г. Неизвестный
- Лаборатория физики и технологии гетероструктур
- Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
- Отдел физики и техники полупроводниковых структур
- Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
- Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
- Отдел инфракрасной оптоэлектроники на основе КРТ
- Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6,
- Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
- Научные лаборатории
- Лаборатория теоретической физики, зав.лаб., член-корр. РАН, профессор А. В. Чаплик
- Лаборатория разработки принципов построения и архитектуры вычислительных систем для обработки информационных массивов, зав.лаб., член-корр. РАН, профессор, В. Г. Хорошевский
- Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик
- Лаборатория оптических материалов и структур
- Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур
- Лаборатория неравновестных процессов в полупроводниках
- Лаборатория физических основ материаловедения кремния
- Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники
- Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники
- Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов
- Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем, зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор, А. В. Двуреченский
- Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий
- Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
- Лаборатория мощных газовых лазеров
- Научно-технологический отдел монокристаллического кремния и кремниевых структур
- Омский филиал ИФП
- Лаборатория физики полупроводниковых структур
- Лаборатория физики полупроводниковых соединений
- Лаборатория экологического мониторинга
- Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИ ПМ»
- Научно-исследовательский отдел фотохимических технологий
- Научно-исследовательский отдел тепловидение и телевидения
- Тематический отдел конструирования оптико-электронных приборов
- Тематический отдел электронных систем
- Тематический отдел моделирования оптико-электронных приборов
- Тематический отдел прикладной оптико-электронной техники и технологий
- Тематический отдел специального технологического оборудования
Дирекция
- Директор — Асеев, Александр Леонидович, академик РАН, профессор, доктор физико-математических наук[1]
- Зам. директора по научной работе:
- Двуреченский, Анатолий Васильевич, член-корреспондент РАН, профессор, доктор физико-математических наук
- Латышев, Александр Васильевич, член-корреспондент РАН, профессор, доктор физико-математических наук
- Пчеляков, Олег Петрович, профессор, доктор физико-математических наук
См. также
Примечания
- ↑ 1 2 Руководство ИФП СО РАН
- ↑ Общие сведения об ИФП СО РАН
- ↑ Основные направления научной деятельности
- ↑ История Института
- ↑ История Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
- ↑ Структурная схема Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
- ↑ Научные подразделения Института
Ссылки
Категории:- Появились в 1964 году
- Институты РАН
- Сибирское отделение РАН
- Наука в Новосибирске
- Физические институты
Wikimedia Foundation. 2010.
