Институт сильноточной электроники СО РАН

Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН (ИСЭ СО РАН)
Основан	1977
Директор	Ратахин Николай Александрович, профессор[1]
Сотрудников	130[2]
Расположение	Томск
Юридический адрес	634055, Томск, пр. Академический, 2/3
Сайт	http://www.hcei.tsc.ru

Институт сильноточной электроники СО РАН — один из институтов Томского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук. Расположен в Томске.

Общие сведения

Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы ее применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы.^[3]

История

Институт был создан в 1977 году в Томском Академгородке. ^[2]

Директора

Институт возглавляли:^[2]

• 1977—1986 — академик РАН Месяц, Геннадий Андреевич
• 1986—2002 — академик РАН Бугаев, Сергей Петрович.
• 2002—2006 — академик РАН Коровин, Сергей Дмитриевич.
• настояще время (… 2010) — член-корреспондент РАН Николай Александрович Ратахин.

Структура

В составе института следующие научные подразделения:^[4]

• ОТДЕЛ ИМПУЛЬСНОЙ ТЕХНИКИ — заведующий лабораторией и затем отделом по настоящее время доктор технических наук, академик РАН Ковальчук, Борис Михайлович. ^[5]
• ОТДЕЛ ВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЕЙ ЭНЕРГИИ
• ОТДЕЛ ФИЗИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
• ЛАБОРАТОРИЯ ПЛАЗМЕННОЙ ЭМИССИОННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (заведующие: П. М. Щанин, до мая 2001 года, а затем Н. Н. Коваль)^[6]
• ЛАБОРАТОРИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (с 1977 по 1986 год руководил академик С. П. Бугаев, а затем д.ф.-м.н. В. И. Кошелев)^[7]
• ЛАБОРАТОРИЯ ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
• ЛАБОРАТОРИЯ ГАЗОВЫХ ЛАЗЕРОВ
• ЛАБОРАТОРИЯ ОПТИЧЕСКИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
• ЛАБОРАТОРИЯ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ
• ЛАБОРАТОРИЯ ПРИКЛАДНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
• ЛАБОРАТОРИЯ ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ
• ЛАБОРАТОРИЯ ПЛАЗМЕННЫХ ИСТОЧНИКОВ
• КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ОТДЕЛ
• ГРУППА АВТОМАТИЗАЦИИ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

Дирекция

• Директор — Ратахин, Николай Александрович, член-корреспондент РАН, профессор, доктор физико-математических наук^[1][8]
• Зам. директора по научной работе:
  • Турчановский Игорь Юрьевич, кандидат физико-математических наук
  • Коваль Николай Николаевич, доктор технических наук
• Научный руководитель
  • Месяц, Геннадий Андреевич, академик РАН, профессор

См. также

• Институт цитологии и генетики СО РАН

Примечания

1. ↑ ^{1 2} Руководство ИСЭ СО РАН
2. ↑ ^{1 2 3} http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/history/history.html История Института сильноточной электроники СО РАН]
3. ↑ Основные направления научной деятельности Института сильноточной электроники СО РАН
4. ↑ Структура Института сильноточной электроники СО РАН
5. ↑ Отдел импульсной техники
6. ↑ Лаборатория плазменной эмиссионной электроники
7. ↑ Лаборатория высокочастотной электроники
8. ↑ Дирекция ИСЭ СО РАН

Ссылки

• Официальный сайт института