Красильник, Захарий Фишелевич

Захарий Фишелевич Красильник
Дата рождения:	2 ноября 1947(1947-11-02) (65 лет)
Место рождения:	Черновцы
Страна:	СССР →  Россия
Научная сфера:	Физика полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, физика наноструктур, кремниевая оптоэлектроника
Место работы:	ИФМ РАН
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	профессор
Альма-матер:	Радиофак ГГУ
Научный руководитель:	М. И. Рабинович
Награды и премии

Заха́рий Фи́шелевич Краси́льник (род. 2 ноября 1947, Черновцы) — советский и российский физик, профессор, директор Института физики микроструктур РАН (ИФМ РАН), зам. председателя Президиума Нижегородского научного центра РАН, заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» Нижегородского государственного университета (ННГУ) им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН.

Научные интересы лежат в области физики полупроводников и полупроводниковых гетероструктур, физики наноструктур и кремниевой оптоэлектроники. К началу 2011 года является автором более 200 научных статей. Число цитирований научных работ ~ 500 (цитирования с 1986 года), из них около 200 ссылок на работы, опубликованные за последние 7 лет ^[1].

Биография

В 1970 году З. Ф. Красильник окончил радиофизический факультет Горьковского государственного университета им. Н. И. Лобаческого по специальности радиофизика и поступил на работу в Научно-исследовательский радиофизический институт (г. Горький) в должности младшего научного сотрудника. В 1977 году переведен во вновь образованный Институт прикладной физики Академии наук СССР (ИПФ АН СССР, затем — ИПФ РАН), где прошел путь от младшего научного сотрудника до заместителя директора отделения физики твердого тела, заведующего отделом физики полупроводников. В 1977 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по теме «Взаимодействие волн в полупроводниках с дрейфом носителей заряда», научный руководитель — профессор М. И. Рабинович. В 1988 году защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук на тему «Инвертированные распределения и индуцированное циклотронное излучение дырок с отрицательными массами в полупроводниках».

С 1993 года — заместитель директора, заведующий отделом физики полупроводников Института физики микроструктур РАН, образованного в 1993 г. на базе Отделения физики твердого тела ИПФ РАН.

В 2009 году избран директором ИФМ РАН.

Научные достижения

Основные направления научных исследований З. Ф. Красильника связаны с физикой полупроводников и полупроводниковых гетероструктур, физикой наноструктур и кремниевой оптоэлектроникой. З. Ф. Красильником теоретически предсказаны взрывная неустойчивость акустоэлектронных волн, в том числе в условиях генерации гиперзвука светом при вынужденном рассеянии Мандельштама — Бриллюэна (1973 г.), комбинационное усиление звука в пьезополупроводниках в условиях черенковского резонанса при скоростях дрейфа меньших скорости звука (1976 г.). Одним из важнейших результатов научной деятельности З. Ф. Красильника явилось первое наблюдение индуцированной циклотронной неустойчивости тяжелых дырок германия. В результате, под руководством З. Ф. Красильника были созданы полупроводниковые мазеры с плавной перестройкой магнитным полем частоты генерации в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. За цикл работ в этом направлении З. Ф. Красильнику с соавторами в 1987 году была присуждена Государственная премия СССР в области науки и техники.

По инициативе З. Ф. Красильника в ИФМ РАН были начаты работы по молекулярно-пучковой эпитаксии и исследованию оптических свойств кремний-германиевых структур и кремниевых структур, легированных эрбием. Была развита технология роста структур с самоорганизующимися кремний-германиевыми квантовыми точками. Под руководством З. Ф. Красильника коллективом исследователей ИФМ РАН и Научно-исследовательского физико-технического института ННГУ им. Н. И. Лобачевского были получены излучающие эпитаксиальные кремниевые структуры, легированные эрбием, с уникальными свойствами излучающих центров. В кремний-германиевых структурах с квантовыми точками и в многослойных наноразмерных структурах кремний-эрбий продемонстрирована эффективная электролюминесценция в важном для телекоммуникаций диапазоне длин волн вблизи 1,5 мкм.

Педагогическая деятельность

• С 1989 года по 2004 год — старший преподаватель, профессор (1996) кафедры электроники радиофизического факультета ННГУ им. Н. И. Лобачевского, заведующий филиалом кафедры электроники в ИФМ РАН; руководитель специализации «Физика твердого тела» на ВШОПФ ННГУ им. Н. И. Лобачевского.
• С 2004 года — заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН.
• К началу 2011 года под руководством З. Ф. Красильника были подготовлены и прошли защиту 7 диссертаций на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
• Руководитель Ведущей научной школы РФ «Фундаментальные научные проблемы развития кремниевой оптоэлектроники и освоения терагерцового диапазона с использованием полупроводниковых наноструктур».

Публикации

Автор более 350 работ, опубликованных в научных журналах и материалах научных конференций.

Членство в профессиональных организациях, советах, комитетах

• Заместитель председателя Президиума Нижегородского научного центра РАН.
• Член Совета по науке и инновационной политике при губернаторе Нижегородской области.
• Член Научного совета РАН по проблеме «Физика полупроводников».
• Член редколлегии журнала «Физика и техника полупроводников».
• Член ряда ученых, специализированных и экспертных советов.
• Член программных и организационных комитетов ряда международных и российских научных конференций.

Премии и стипендии

• 1987 г. — Государственная премия СССР в области науки и техники.
• 1997—2002 гг. — Государственная стипендия для выдающихся ученых России.

Примечания

1. ↑ Список российских ученых, имеющих более 100 сылок на работы опубликованные за последние 7 лет

Ссылки

• З. Ф. Красильник на сайте Института физики микроструктур РАН
• З. Ф. Красильник на сайте межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН

Интервью, публикации в прессе

• Борис Булюбаш. «Где работают нанофизики». Сайт «Наука и технологии РФ»
• Нижегородская правда, № 123 от 11.11.2010. «Из лабораторий в цеха»
• «Предприятия должны самостоятельно заказывать в ВУЗах обучение специалистов».
• Нижегородская правда, № 61 от 10.06.2010. «Нам оно нано».
• «Десять блондинок и нанопомада».
• «Нанотехнологии создаются мозгами нижегородцев».
• Фильм об ИФМ РАН.