Нойс, Роберт

Роберт Нортон Нойс
Robert Norton Noyce
Род деятельности:	инженер-электроник, предприниматель
Дата рождения:	12 декабря 1927(1927-12-12)
Место рождения:	Бёрлингтон, Айова
Гражданство:	США
Дата смерти:	3 июня 1990(1990-06-03) (62 года)
Место смерти:	Остин, штат Техас
Награды и премии:	Медаль почёта IEEE (1978) Национальная научная медаль США (1979) Национальная медаль США в области технологий (1987)

У этого термина существуют и другие значения, см. Нойс.

Роберт Нортон Нойс (англ. Robert Norton Noyce; 12 декабря 1927(19271212) — 3 июня 1990) — американский инженер, один из изобретателей интегральной схемы (1959), один из основателей Fairchild Semiconductor (1957), основатель, совместно с Гордоном Муром, корпорации Intel (1968).

Биография

В 1949 году Нойс окончил Гриннелл-колледж в Айове со степенью бакалавра, а в 1953 году — получил степень Ph.D. по физике в Массачусетском технологическом институте.

В 1956—1957 годах работал в Shockley Semiconductor Laboratory под руководством изобретателя транзистора Уильяма Шокли, а затем вместе с семью коллегами уволился и основал одну из первых фирм по производству кремниевых полупроводников — Fairchild Semiconductor. Работая в Fairchild Semiconductor, Нойс, практически одновременно с Джеком Килби из Texas Instruments, изобрел интегральную микросхему.

В 1968 году Нойс и его давний коллега Гордон Мур основали корпорацию Intel. Спустя два года они создали Intel 1103 — первую запоминающую микросхему DRAM, производимую в коммерческих масштабах. Компьютерная память на полупроводниковых микросхемах скоро вытеснила распространенную в то время память на магнитных сердечниках. Нойс также был руководителем проекта Intel по созданию первого микропроцессора (Intel 4004, выпущен в 1971 году). Вскоре корпорация Intel стала лидером по производству микропроцессоров.

В 1988 году Нойс стал президентом корпорации Sematech, исследовательского консорциума, совместно финансируемого промышленным капиталом и правительством США с целью развития передовых технологий в американской полупроводниковой промышленности.

Патенты Нойса

Нойс является автором 15 патентов:

• U.S. Patent 2 875 141 Method and apparatus for forming semiconductor structures, февраль 1959, Philco Corporation
• U.S. Patent 2 929 753 Transistor structure and method, март 1960, Beckmann Instruments
• U.S. Patent 2 959 681 Semiconductor scanning device, ноябрь 1960, Fairchild Semiconductor
• U.S. Patent 2 968 750 Transistor structure and method of making the same, январь 1961, Clevite Corporation
• U.S. Patent 2 971 139 Semiconductor switching device, февраль 1961, Fairchild Semiconductor
• U.S. Patent 2 981 877 Semiconductor Device and Lead Structure, апрель 1961, Fairchild Semiconductor
• U.S. Patent 3 010 033 Field effect transistor, ноябрь 1961, Clevite Corporation
• U.S. Patent 3 098 160 Field controlled avalanche semiconductive device, июль 1963, Clevite Corporation
• U.S. Patent 3 108 359 Method for fabricating transistors, октябрь 1963, Fairchild Camera и Instrument Corp.
• U.S. Patent 3 111 590 Transistor structure controlled by an avalanche barrier, ноябрь 1963, Clevite Corporation
• U.S. Patent 3 140 206 Method of making a transistor structure (соавтор William Shockley), июль 1964, Clevite Corporation
• U.S. Patent 3 150 299 Semiconductor circuit complex having isolation means, сентябрь 1964, Fairchild Camera и Instrument Corp.
• U.S. Patent 3 183 129 Method of forming a semiconductor, май 1965, Fairchild Camera и Instrument Corp.
• U.S. Patent 3 199 002 Solid state circuit with crossing leads, август 1965, Fairchild Camera и Instrument Corp.
• U.S. Patent 3 325 787 Trainable system, июнь 1967 Fairchild Camera и Instrument Corp.

Ссылки

• 75-летие Роберта Нойса
• Фотопортрет Роберта Нойса и рассказ о его деятельности
• Как разрабатывались первые микросхемы Intel